Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

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Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优 Vishay Intertechnology, Inc., today announced the release of the first TrenchFET ™ power MOSFET-ThunderFET ™ SiR880DP with new low on-resistance technology optimized for higher voltage devices. The new device is the industry’s first 80V power MOSFET that turns on with a 4.5V gate drive. The new 80VSiR880DP is available in a thermally enhanced PowerPAK® SO-8 package with ultra-low on-resistance of 8.5 mΩ, 6.7 mΩ, and 5.9 mΩ at 4.5V, 7.5V and 10V. The typical on-resistance of this device multiplied by the gate charge at a 4.5 V gate drive is 161, which is the value of a MOSFET in DC-DC converter applications
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