【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响。研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06eV,符合实验值。TiS3在a方向上更容
【机 构】
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钢铁研究总院,安泰科技股份有限公司,中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51501043);国家重点研发计划资助项目(2017YFB0903903);北京市科技新星计划资助项目(2161100004916048)
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采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算研究了应力对TiS3单层材料电子性质的影响。研究发现,TiS3单层材料是直接带隙半导体,带隙1.06eV,符合实验值。TiS3在a方向上更容易产生形变,在不同方向应力作用下,带隙、价带顶和导带底都会随应力变化而不断变化。其中,当b方向压应力增加到6%时,TiS3由直接带隙转变为间接带隙。分析载流子有效质量得到,在任何方向拉应力作用下,载流子有效质量对应力相应不敏感。在b单轴方向和双轴方向压应力作用下,载流子有效质量表现出强烈的各向异性。这一研究对深入理解应力调控TiS3的电子结构意义深远。
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