硅的湿法化学腐蚀机理

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我们从晶体生长学的观点评述了单晶的湿法化学腐蚀。出发点是晶体存在光滑表面和粗糙表面。光滑表面的动力学是由粗糙表面所缺乏的成核势垒控制,所以后者腐蚀速率要快几个数量级。对金刚石晶体结构的分析表明,在此晶格中(111)面是唯一的光滑表面,其它面只不过由于表面重构有可能是光滑的。这样,我们解释了〈001〉方向在KOH∶H2O中的最小腐蚀速率。关于接近〈001〉方向具有最小腐蚀速率时的腐蚀状态和在HF∶HNO3基溶液中从各向同性腐蚀向各向异性腐蚀转换的两个关键假设,都用实验进行了检测。结果与理论一致
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