【摘 要】
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利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容
【基金项目】
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国家自然科学基金资助课题（50277016, 50577028）,高等学校博士点基金资助课题（20050487044）,国家973项目资助课题（5132802）
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利用自行研制的固态半导体开关RSD,采用电容储能方式,研究了RSD的电压响应时间、大电流特性、电流上升率等.在测试RSD的电压响应时间时,得到了25 ns的电压下降曲线.在主电容电压为8 kV时,得到峰值为10.1 kA、脉宽为34 μs、电流上升率为2.03 kA/μs的大电流脉冲.通过调整主电路,在主电容为3 kV时,得到的电流脉冲峰值为8.5 kA、脉宽为2.5 μs、电流上升率为7.2 kA/μs.结果表明,RSD是一种开通快、通流能力强、电流上升率高的大功率半导体开关器件.
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