【摘 要】
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美国《电子新闻》2003年9月30日报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和
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美国《电子新闻》2003年9月30日报道,IBM宣布,它将率先采用薄型SOI(硅绝缘体)大圆片芯片设计技术制造SiGe双极晶体管。这是IBM在同一个薄型SOI大圆片上制造SiGe双极晶体管和CMOS电路新技术上所采取的又一个重大步骤。 IBM说:这种设计与最新水平的薄型硅双极技术相比,可在无线设备上把性能提高四倍或者把功耗降低80%。
According to the U.S. Electronic News, September 30, 2003, IBM announced that it will be the first to manufacture SiGe bipolar transistors using thin SOI (wafer-insulator) wafer design technology. This is another major step IBM has taken to create new technologies for SiGe bipolar transistors and CMOS circuits on the same thin SOI wafer. IBM said: "This design can quadruple the performance of wireless devices or reduce power consumption by 80% compared to the state-of-the-art thin silicon bipolar technology.
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