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实验研究了厚度ｄ对ＺｎＯ压敏电阻片殖压比Ｋｒ的影响规律，表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｔ随电位梯度Ｅ１ｍＡ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ增大而增大；
ZnO压敏电阻片残压比与微观结构参数的关系
【摘 要】
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实验研究了厚度ｄ对ＺｎＯ压敏电阻片殖压比Ｋｒ的影响规律，表明残压比同样存在几何效应；实验还表明残压比Ｋｔ随电位梯度Ｅ１ｍＡ成反比例下降，随平均晶粒尺寸μ增大而增大；
【机 构】
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西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室
【出 处】
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电瓷避雷器
【发表日期】
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1999年5期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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