SiC VDMoS特性的影响因素分析

• 作 者: 张娟 柴常春 杨银堂 徐俊平
• 机 构: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
• 出 处: 微电子学
• 发表日期: 2008年2期
• 关键词: SIC VDMOS 栅氧化层 沟道长度 SiC VDMOS Gate oxide Channel length
• 基金项目: 西安应用材料创新基金资助项目（XA-AM200502）

研究了材料、栅氧化层厚度和沟道长度对SiCVDMOS结构特性的影响。结果表明，4H-SiC器件具有更高的电流密度，因此，4H-SiC比6H-SiC更适合用于功率器件。对阈值电压和漏板电流的分析表明，在Vds=0．1V、Vgs=15V时，阂值电压随栅氧化层厚度的增大而线性增大，随沟道长度的增加而增大；而漏板电流密度则随栅氧化层厚度的增加而减小，随沟道长度的增加而减小。