【摘 要】
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提出了一种适合于低电压嵌入式闪存的灵敏放大器。该灵敏放大器采用了增强电流感应的方法,使得电源电压可以降到1.5V及其以下。灵敏放大器中采用的动态位线箝位电路可以提高
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提出了一种适合于低电压嵌入式闪存的灵敏放大器。该灵敏放大器采用了增强电流感应的方法,使得电源电压可以降到1.5V及其以下。灵敏放大器中采用的动态位线箝位电路可以提高位线预充速度并减小功耗。本电路在0.13μm的Flash工艺中实现。测试结果表明:提出的灵敏放大器在电源电压为1.5V时,访问时间是25ns;在电源电压为1.2V时,访问时间是32ns。
A sensitive amplifier suitable for low voltage embedded flash memory is proposed. The sense amplifier uses a method of enhancing the current sense, making the supply voltage can be reduced to 1.5V and below. The dynamic bit line clamp used in sense amplifiers increases bitline precharge speed and reduces power consumption. This circuit is implemented in a 0.13μm Flash process. The test results show that the proposed sensing amplifier has an access time of 25ns at a supply voltage of 1.5V and 32ns at a supply voltage of 1.2V.
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