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（在CP—MOCVD生长过程中）本文研究生长温度和生长过程对PN结结位的影响，并用它来控制InGaAs／InP量子阶激光器的p－n结结位，还探讨了在InP材料中使用DEZn和H2S做掺杂源时P型和N型的杂质浓度和PN结控制的条件，得出在0.5％压缩条件下有源区阶层InGaAs和InP的应变量子层激光器。用这一LD结构实现室温脉冲激射时，我们可获得峰值功率为106mW以上、阈值电流密度为2.6kA／cm2的应变三量子阱激光器。