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纳米粒子的电容对由纳米点陈列所形成的单电子器件是一个十分重要的参数。基于少体理论，提出了计算纳米粒子量子点充电电容的理论模型，由此可以预测出室温下出现库仑台阶等单电子现象的最大纳米粒子粒径。采用简谐势模型计算模拟了ＣｄＳ、ＰｂＳ半导体纳米粒子的充电电容，发现ＣｄＳ、ＰｂＳ纳米粒子的尺寸上限为１１与５ｎｍ。理论计算结果与实验相吻合。