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采用化学液相反应，以亚硒酸或者原碲酸为原料，合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明：合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构，生长方向沿其螺旋轴四[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术，分别翻备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件（FET）。对器件测试的结果显示：硒和碲纳米线均为P型半导体，其相应的空穴迁移率分别为30．7，70cm^2V^-11s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。