MOCVD法以NO气体为掺杂源生长P型ZnO薄膜

• 作 者: 徐伟中 叶志镇 周婷 赵炳辉 朱丽萍 黄靖云
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年1期
• 关键词: P型 ZNO 金属有机化学气相沉积 p-type ZnO metal organic chemical vapor deposition
• 基金项目: 国家重点基础研究专项基金 (批准号 :G2 0 0 0 0 683 0 6),,国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 10 3 8)资助项目~~

采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻P型ZnO薄膜．实验使用NO和N2O共同作为氧源，且NO同时作为掺氮源，二乙基锌作为锌源．X射线衍射测试表明薄膜具有C轴择优取向的结构特性，二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜．通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1．97×10^18cm^-3，最低电阻率为3．02Ω·cm的ZnO薄膜．