【摘 要】
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栅长０．０４μｍ的ＭＯＳ晶体管日本东芝公司研制成功世界上最小晶体管，栅长为０．０４μｍ。这种晶体管相当于１００Ｇ位以上的存贮器，适用于高速ＭＰＵ、高速、高频ＩＣ。该公司采用１．５Ｖ低电压、栅绝缘膜厚度０．００３μｍ、激态复合物曝
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栅长０．０４μｍ的ＭＯＳ晶体管日本东芝公司研制成功世界上最小晶体管，栅长为０．０４μｍ。这种晶体管相当于１００Ｇ位以上的存贮器，适用于高速ＭＰＵ、高速、高频ＩＣ。该公司采用１．５Ｖ低电压、栅绝缘膜厚度０．００３μｍ、激态复合物曝光技术和固层扩散法等技...
MOS transistor gate length 0.04μm Japan’s Toshiba has successfully developed the world’s smallest transistor, the gate length of 0.04μm. This transistor is equivalent to more than 100G memory, suitable for high-speed MPU, high-speed, high-frequency IC. The company uses 1.5V low voltage, gate insulation film thickness of 0.003μm, excited composite exposure technology and solid-layer diffusion ...
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