层状钨基氧化物复合材料的合成与电子特性

• 作 者: 王炳山 董晓雯 潘庆谊 程知萱
• 机 构: 上海大学理学院化学系
• 出 处: 无机化学学报
• 发表日期: 2007年2期
• 关键词: 层状复合材料 W2O6·H2O（H2W2O7） 一元烷基胺 禁带宽度

W2O6·H2O／一元烷基胺复合物【（CnH2n＋1NH2，n=4、8、12、16）嵌入层状氧化钨W2O6·H2O】的XRD、IR、TG．DSC分析表明：烷基胺CnH2n＋1NH2能基于质子加合的机制嵌入W2O6·H2O层间，且插层复合物之间烷基胺的插入与抽出是个可逆过程；烷基胺嵌入层间后以全反式构象双层排布，层间距d随烷基胺碳原子数的增加而线性增长，烷基链与层板的夹角为71．6°。插层复合物UV-Vis分析发现，各种复合物的禁带宽度相对半导体氧化钨的禁带宽度变宽了