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SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析
来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sbwww
【摘 要】
:
针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路
【作 者】
:
卜伟海
黄如
徐文华
张兴
【机 构】
:
北京大学微电子所,
【出 处】
:
城市道桥与防洪
【发表日期】
:
2004年期
【关键词】
:
SOI
浮体效应
环振
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针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响,并提出了抑制器件浮体效应的器件结构和参数优化设计.
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