【摘 要】
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近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的
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近年来,随着大规模集成电路、CCD二极管阵列显示器件和微波功率晶体管的发展,这些大面积器件对半导体材料提出了更高的要求,促使人们加强对半导体材料的微缺陷研究.其研究的重点是集中于形成各种微缺陷的机理,微缺陷的结构、微缺陷分布的非均匀性、微缺陷的杂质析出效应、微缺陷的运动和电活性以及微缺陷的电学效应.
In recent years, with the development of large-scale integrated circuits, CCD diode array display devices and microwave power transistors, these large-area devices have put forward higher requirements on semiconductor materials, prompting people to strengthen their research on micro-defects in semiconductor materials. The focus is on the mechanisms responsible for the formation of various micro-defects, the structure of the micro-defects, the heterogeneity of the micro-defects distribution, the precipitation effect of micro-defects, the micro-defect motions and electrical activities, and the electrical effects of micro-defects.
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