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在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD工艺。利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量。该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本。结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性。