Zr与稀土Nd复合掺杂对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响

• 作 者: 林彩平 刘彭义 陈伟业
• 机 构: 暨南大学物理系
• 出 处: 电子元件与材料
• 发表日期: 2012年8期
• 关键词: 钛酸钡陶瓷 钕掺杂 锆掺杂 介电性能 BaTiO3 ceramic Nd-doped Zr-doped dielectric properties
• 基金项目: 广东省教育部产学研结合资助项目（No.2009B090300093）,广州市科技计划基金资助项目（No.200821-411）

在1 270℃的烧结温度下,采用固相反应法对BaTiO3粉体进行Nd2O3和ZrO2双施主复合掺杂,合成（Ba0.98Nd0.02）（Ti1–xZrx）O3（BTNZ）陶瓷,研究了Zr掺杂量对BTNZ陶瓷的显微结构及介电性能的影响。结果表明：随着Zr掺杂量的增加,BTNZ陶瓷的介电峰移向室温;加入适量的Zr离子替代BaTiO3中的Ti离子能很好地改善BTNZ陶瓷的介电性能,当Zr掺杂量为x=0.01时,BTNZ陶瓷的相对介电常数可达7 200。