立方相MgZnO纳米线的制备和表征

• 作 者: 陈永 王峰 李德辉 陈凌翔 吕建国 叶志镇
• 机 构: 浙江大学硅材料国家重点实验室,上海市计量测试技术研究院
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2012年7期
• 关键词: 立方相MgZnO 纳米线 热蒸发 cubic MgZnO nanowire thermal evaporation
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目（51002131）, 高等学校博士学科点专项科研基金资助项目（200803351004）

利用热蒸发方法,在硅衬底上制备出立方MgZnO纳米线。以Mg粉为源材料,所制备的为立方相MgO纳米线。以Mg粉和Zn粉混合物为源材料,可以制备出立方相MgZnO纳米线,Zn含量7%,直径200～300nm,具有单晶结构;同时产物中还包括六方相ZnO纳米线,直径30nm左右。MgZnO纳米线中Zn含量远低于源材料中的Zn含量,这可能是ZnO和Zn的蒸汽压远大于MgO和Mg的缘故。