Gd3Ga5O12：Ag薄膜电致发光浓度和退火温度特性的研究

• 作 者: 徐征 许秀来
• 机 构: 北方交通大学光电子技术研究所,中国科学院激发态物理开放实验室
• 出 处: 光电子．激光
• 发表日期: 2000年3期
• 关键词: 薄膜 电致发光 浓度 退火温度特性 Gd_3Ga_5O_(12) :Ag P L TFEL concentration quenching
• 基金项目: 国家“八六三”计划资助项目!( 71 5 - 0 0 82 ),,教育部博士点基金 ,,国家自然科学基金!( 1 99740 0 2 ),,中国科学院激发态物理开

本文研究了Ａｇ＾＋的浓度对Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２薄膜光致发光和电致发光的影响。当Ａｇ＾＋沈度达到０．２ａｔ＾，薄膜的光发生很强的淬灭，但是电致发光的淬灭肖度却达１ａｔＴ％，通过对不同浓度的薄膜样品的吸收光谱的测量，发现随着Ａｇ＾＋的浓度的升高，吸收边生红移。由于Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜电致发光有一部分是属于逞间激发，所以电致发光的淬灭浓度要比光致发光高。Ｇｄ３Ｇａ５Ｏ１２：Ａｇ薄膜的退火有助于提高