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采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还研究了薄膜的存储性能.
0．87Na0．5Bi0．5TiO3-0．13PbTiO3薄膜的MOSD＋Dipping制备
【摘 要】
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采用MOSD+Dipping方法在P型Si(111)衬底上制备了0.87Na0.5Bi0.5TiO3-0.13PbTiO3薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌.同时还
【机 构】
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山东大学晶体材料国家重点实验室
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2004年5期
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