【摘 要】
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本工作对我厂的3DG102硅平面三极管进行了PSG表面钝化.结果证明,经PSG表面钝化后的管子在一万小时的长期高温贮存试验和长期额定功率试验过程中h_(FE)仍很稳定.实践还表明,该
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本工作对我厂的3DG102硅平面三极管进行了PSG表面钝化.结果证明,经PSG表面钝化后的管子在一万小时的长期高温贮存试验和长期额定功率试验过程中h_(FE)仍很稳定.实践还表明,该工艺既简单(适于工厂生产),又能较大提高器件的成品率和优品率.这项工艺技术的关键是:a.严格控制磷的浓度和PSG层的厚度.b.必须保持低温沉积系统的清洁度和适当的真空度.
In this work, the PSG surface passivation of the 3DG102 silicon planar transistor in our factory was verified.The results showed that the h_ (FE) remained unchanged after long-term high-temperature storage test and long-term rated power test of 10,000 hours Stable. Practice also shows that the process is simple (for factory production), but also greatly improve the device yield and excellent product rate. The key to this process is: a. Strict control of phosphorus concentration and PSG layer Thickness .b. The cleanliness and proper vacuum of the cryogenic deposition system must be maintained.
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