45°内反射镜高功率InGaAs／AlGaAs／GaAs面发射半导体激光器结构设计和制备

• 作 者: 李梅 曲轶 王晓华 徐莉 李辉 刘维峰 刘国军
• 机 构: 长春理工大学
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2003年4期
• 关键词: 面发射半导体激光器 分子束外延 双晶回摆曲线 内反射镜 结构设计 制备 InGaAs/A1GaAs/GaAs 单量子阱 semiconductor laser
• 基金项目: 兵器科技预研基金

研究了具有45°内反射镜的0.98μm辐射波长的应变InGaAs/AlGaAs/GaAs单量子阱面发射半导体激光器结构,并采用 MBE 方法进行了材料制备.同时利用X射线双晶衍射,低温(10K)光致发光(PL)和电化学C-V方法检测和分析了外延薄膜的光电和结构特性.在光致发光谱线中我们得到了发射波长0.919μm的谱峰,谱峰范围跨跃0.911～0.932μm ,双晶回摆曲线、电化学C-V分布曲线显示所设计的结构基本得到实现.