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在ＲｉｃｈａｒｄＳ．Ｃｒａｎｄａｌｌ和Ｐｏｒｐｏｎｔｈ Ｓｉｃｈａｎｕｇｒｉｓｔ等人工作的基础上，用平均场区域近似（ＵＦＲＡ）方法，对ｐ－ｉ－ｎａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜太阳电池进行了解析分析，得出了电池性能参数与本征层光学带Ｅｇ、电子迁移率Ｕｎ的关系。开路电压Ｖｏｃ、短路电流Ｊｓｃ、电池效率随Ｅｇ的增大而急剧减小，而填充因子Ｆｆ随Ｅｇ的增大而缓慢减小。Ｖｏｃ，Ｊｓｃ，Ｆｆ都随Ｕｎ的增大而增大，变化最大，其