【摘 要】
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Communicant半导体公司近日开发出基于0 .2 5μm技术的硅锗碳化物 (Si Ge C) Bi CMOS设计套件。该技术具有三个传输频率介于 30 GHz到80 GHz、最大振幅介于 70 GHz到 90 GHz
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Communicant半导体公司近日开发出基于0 .2 5μm技术的硅锗碳化物 (Si Ge C) Bi CMOS设计套件。该技术具有三个传输频率介于 30 GHz到80 GHz、最大振幅介于 70 GHz到 90 GHz、电压范围为 2 .4 V到 7V的异质双极 NPN晶体管。具有标准的 4层金属处理性能 ,仅需 19个光刻掩膜步骤
Communicant Semiconductor Corporation has recently developed a 0.24μm SiGe C BiCM CMOS design kit. The technology features three heterogeneous bipolar NPN transistors with transmission frequencies from 30 GHz to 80 GHz and a maximum amplitude of 70 GHz to 90 GHz over a voltage range of 2.4 V to 7 V. With a standard 4-layer metal processing performance, only 19 lithography mask steps are required
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