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【摘 要】
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为了提高Ⅳ-Ⅵ族中红外激光器的工作温度,采用分子束外延生长技术,在Cd0.96Zn0.04Te(111)衬底上外延生长了以PbTe/Pb1-xSrxTe量子阱为有源区的p-n双异质结发光二极管。高分辨
【机 构】
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浙江大学物理系固体光电子材料物理与器件实验室,浙江师范大学数理与信息工程学院,
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2008年S1期
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