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在现代电源的应用中，需要利用高效、高可靠性的高压开关器件来提高效率。但是要么是很少可以找到耐压大于1000V的MOSFET，要么就是耐压高的MOSFET，其RDS（on）也很大，这使得MOSFET的导通压降也很大，这是我们不希望看到的。双极性MOSFET是结合了MOSFET和IGBT优点的开关元件。本文主要对制造BiMOSFET的新工艺方法以及它的非外延型结构进行了说明。