SIT耐压容量的控制和工艺调节

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对静电感应晶体管(SIT)栅-漏、栅-源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨,对栅-源连通和栅-漏耐压的钳位问题进行了分析。 The gate-drain, gate-source breakdown voltage control and process regulation of SIT are discussed. The clamped problems of gate-source connection and gate-drain breakdown voltage are analyzed.
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