【摘 要】
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本文提出用全欧姆接触结构,采用常规双扩散工艺,在基区和集电区为少数载流子和多数载流于提供复合通道,引入新的复合机构,达到了缩短贮存时间、提高开关速度的目的.实验证明,
【机 构】
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西安交通大学电子工程系,西安交通大学电子工程系
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本文提出用全欧姆接触结构,采用常规双扩散工艺,在基区和集电区为少数载流子和多数载流于提供复合通道,引入新的复合机构,达到了缩短贮存时间、提高开关速度的目的.实验证明,新复合机构使贮存时间减小到常规结构的三分之一左右.
This paper proposes a full ohmic contact structure, the use of conventional double diffusion process, in the base area and the collector for the minority carriers and majority of current carrying in the provision of composite channels, the introduction of a new composite mechanism, to shorten the storage time and increase the switching speed The experiments show that the new composite mechanism to reduce storage time to about one-third of the conventional structure.
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