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本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注入GaAs MESFET直流特性.
短沟道离子注入GaAs MESFET解析模型
【摘 要】
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本文提出了一种新的离子注入短沟道GaAsMESFET直流解析模型,并将解析模型与实验数据进行了比较。结果表明,本文提出的解析模型可以同时描述高、中和低夹断电压的短沟道离子注
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心
【出 处】
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东南大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年6期
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