【摘 要】
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采用直流热阴极CVD方法，以液态硼酸三甲酯为硼源，在P型（100）硅基片上制备了掺硼金刚石（BDD）膜。利用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪（XRD）等方法对样品进行了表征，研
【机 构】
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牡丹江师范学院物理与电子工程学院新型碳基功能与超硬材料黑龙江省重点实验室
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采用直流热阴极CVD方法，以液态硼酸三甲酯为硼源，在P型（100）硅基片上制备了掺硼金刚石（BDD）膜。利用扫描电子显微镜（SEM）、激光拉曼光谱仪、X射线衍射仪（XRD）等方法对样品进行了表征，研究了其生长特性，并利用电输运特性测试系统对其电阻率进行了测试。结果表明，随着硼酸三甲酯流量的增加，晶体的表面逐渐光滑平整、棱角清晰；掺硼金刚石膜的品质呈先上升后下降的趋势；电阻率呈先下降后达到平稳的趋势，最终达到约8．0×10^-3Ω·cm。硼掺杂明显改变了金刚石晶体的组成结构。
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