【摘 要】
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采用Cu2O自牺牲模板法,以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物,在水热条件下与硫脲进行反应,制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带.测试结
【机 构】
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北京工商大学理学院,北京,100048;洛阳理工学院材料工程系,洛阳,471023
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采用Cu2O自牺牲模板法,以负载有立方相p-型半导体Cu2O颗粒的TiO2纳米带作为前驱物,在水热条件下与硫脲进行反应,制得了负载有立方相p-型半导体Cu1.8S颗粒的TiO2纳米带.测试结果表明,反应温度、反应时间和硫脲浓度对Cu1.8S纯度和形貌皆有影响.若反应在较低温度(如120℃)进行,即使反应时间达到25 h,产物中除了生成Cu1.8S还存在未反应Cu2O;若水热温度控制在160℃反应25 h,当硫脲浓度为0.25 mol/L时,负载物基本上是Cu1.8S且分散较好,当硫脲浓度升到0.5 mol/L时,负载物团聚严重.对罗丹明B的光催化降解活性测试结果表明,与纯TiO2纳米带相比,在负载有Cu2O或Cu1.8S后光催化活性显著降低.
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