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给出了一个适用于分析ＳｉＧｅ基区异质结晶体管电流和频率特性的解析模型，并利用该模型分析了基区掺杂和组分均缓变的ＳｉＧｅ异质结晶体和的电流增益，截止频率，最高振荡频率。模型中考虑了由于基区重掺杂和Ｇｅ的掺入引起的禁带变效应，载流子速度饱和效应。解析模型的计算结果与实验的对比证实了本模型可适用于器件的优化设计和电路的模拟。