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对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明，不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时，其过剩基极电流最大，电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时，过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。
不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响
【摘 要】
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对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明，不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时，其过剩基极电流最大，电流增益衰减
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院研究生院,集成电路国家重点实验室
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2010年4期
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