【摘 要】
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据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本三菱电机开发了内置电流补偿型差分放大器的L波段SiGe-BiCMOS发射MMIC。由于SiGe-BiCMOS器件由高性能控制电路和偏置电路等构成,
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据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本三菱电机开发了内置电流补偿型差分放大器的L波段SiGe-BiCMOS发射MMIC。由于SiGe-BiCMOS器件由高性能控制电路和偏置电路等构成,与GaAs器件MMIC相比,实现了高性能、小型化和低成本的目标。该MMIC采用0.18μm SiGe-BiCMOS工艺,芯片尺?
According to “Letters Science and Technology” (Japan) 110-14 2010 report, Japan’s Mitsubishi Electric developed a built-in current-compensated differential amplifier L-band SiGe-BiCMOS MMIC transmitter. Since the SiGe-BiCMOS device is composed of a high-performance control circuit and a bias circuit, it achieves high performance, small size, and low cost compared with the GaAs device MMIC. The MMIC using 0.18μm SiGe-BiCMOS technology, chip scale?
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