【摘 要】
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采用甚高频等离子增强化学气相沉积技术,以SiH4,CH4和O2作为反应气源,在150℃下制备非晶碳氧化硅薄膜,并对薄膜进行不同条件下快速热退火处理,研究快速热退火处理对其结构和
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采用甚高频等离子增强化学气相沉积技术,以SiH4,CH4和O2作为反应气源,在150℃下制备非晶碳氧化硅薄膜,并对薄膜进行不同条件下快速热退火处理,研究快速热退火处理对其结构和发光特性的影响.实验表明,原始沉积薄膜在可见光全波段展现较强的光致发光特性,经过快速热退火处理后,其发光强度显著增强.薄膜在700℃经过快速热退火10s后,相比于原始沉积薄膜,其发光强度增强6倍,肉眼可见强的蓝绿光光发射.光荧光谱（PL）分析表明,薄膜的发光峰位不随激发波长的改变而发生明显变化.通过结合拉曼（Raman）光谱及傅里叶
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