【摘 要】
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在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、
【机 构】
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南京大学现代分析中心实验室,南京大学固体微结构物理实验室,南京大学固体微结构物理实验室 南京210008,南京210008,南京210008
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在非晶半导体超晶格喇曼谱中,从类光学模(TO-Like mode)的半高峰(陡边)宽(HWHM )及峰位置可得到有关微结构的一系列参量:如键角的变化、靠近界面附近处每个键的平均畸变能、层间界面处的张力等物理量、将两组不同调制参数的超晶格情况对比,可更清楚地理解其结构,使人们对非晶硅超晶格的微结构有进一步的了解.
In amorphous semiconductor superlattice Raman spectra, a series of parameters related to the microstructure can be obtained from the half-height (steep edge) width (HWHM) of the TO-Like mode and the peak position: Change, near the interface near the average distortion energy of each key, the interface layer of tension and other physical quantities, the two sets of different modulation parameters superlattice comparison can be more clearly understand the structure, so that people on the amorphous silicon The microstructure of the superlattice has a better understanding.
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