【摘 要】
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在SiO2基体上电化学沉积400nm厚度银涂层,然后用扫描电镜能谱仪进行成分表征时,结果出现异常现象。利用原子力显微镜(AFM)和蒙特卡洛模拟(Monte Carlo Simulation)软件对该异
【机 构】
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山东大学材料科学与工程学院先进材料测试与制造平台
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在SiO2基体上电化学沉积400nm厚度银涂层,然后用扫描电镜能谱仪进行成分表征时,结果出现异常现象。利用原子力显微镜(AFM)和蒙特卡洛模拟(Monte Carlo Simulation)软件对该异常现象产生原因进行了分析。结果表明:氧元素的特征X射线能量Kα=0。525keV,该能量能级较低难以穿透400nm厚度的银涂层,硅元素的特征X射线能量Kα=1。74keV,Kβ=1。838keV,能级较高,能够穿透该厚度的银涂层。
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