【摘 要】
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电弧离子镀沉积膜层具有放电温度高、离化率高和沉积速率快等特点,可以在较低温度下促进Si-C成键,是获得含Si-C键膜层的一种经济实惠的方法。本文使用Ti-Si合金靶,在Ar和C2H2
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(51772193).
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电弧离子镀沉积膜层具有放电温度高、离化率高和沉积速率快等特点,可以在较低温度下促进Si-C成键,是获得含Si-C键膜层的一种经济实惠的方法。本文使用Ti-Si合金靶,在Ar和C2H2气体环境下,在铝合金衬底上制备了Ti-Si-C膜层,并分析和研究了不同弧流下沉积膜层的相组成、磨损和腐蚀性能。结果显示,不同弧流下沉积的膜层是由B1型Ti C相、立方结构的Si C相和金属Ti相组成的复合结构;大弧流由于放电温度高,有利于膜层中Si-C键的形成.弧流增加,靶材蒸发速率加快,沉积膜层的厚度增加,同时,由于靶材附近
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