【摘 要】
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以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在
【机 构】
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中国科学院研究生院物理系,中国科学院研究生院物理系,中国科学院研究生院物理系,中国科学院研究生院物理系,中国科学院研究生院物理系 北京100039,中国科学院半导体研究所,北京100083,北京100
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以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 .
Polycrystalline silicon thin films were deposited on a glass substrate at 250 ℃ by hot wire chemical vapor deposition using metal W and Ta as hot filaments.The effect of deposition parameters such as hot wire temperature, deposition pressure, hot wire and substrate spacing on silicon thin film Structure and optical properties under the optimum conditions, the crystallization ratio Xc> 90%, the dark conductivity σd = 10 - 7- 10 - 6 Ω- 1 cm- 1, the activation energy Ea = ≤ 1 3eV polysilicon film.
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