【摘 要】
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应用离子注入技术制作n~+-p-π-p~+拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所,中国科学院上海冶金研究所
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应用离子注入技术制作n~+-p-π-p~+拉通型雪崩光电二极管时(Si-RAPD),可以用高斯型杂质分布模型求得到它的电场模型.找到了倍增因子M与电压间关系,详细讨论了电场强度E对击穿电压V_B,耗尽层宽度W和有效离化率比值k_(eff)等影响.计算值与实测值符合较好.应用本模型,对Si-RAPD进行最佳设计是十分方便的.
The electric field model can be obtained by the Gaussian impurity distribution model when the n ~ + -p-π-p ~ + pull-through avalanche photodiode is fabricated by ion implantation (Si-RAPD) The relationship between the electric field intensity E and the breakdown voltage V_B, the depletion layer width W and the effective ionization ratio k eff (eff) is discussed in detail.The calculated values are in good agreement with the measured values.Applying this model to Si-RAPD The best design is very convenient.
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