【摘 要】
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介绍一种新型硅p-i-n光敏二极管。该二极管在高量子效率下具有宽的波长响应(400～900nm时约85％),同时还具有极快的响应时间(通常不大于100ps)。二极管结构采用内反射式。文中提
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介绍一种新型硅p-i-n光敏二极管。该二极管在高量子效率下具有宽的波长响应(400～900nm时约85％),同时还具有极快的响应时间(通常不大于100ps)。二极管结构采用内反射式。文中提供各种类型栅的理论表达式,而且还说明了各种栅以及二极管本身的制造工艺。由时间和波长响应的实验数据证明,这是合乎理想的高性能光敏二极管。
A new type of silicon p-i-n photodiode is introduced. The diode has a wide wavelength response (about 85% at 400-900 nm) at high quantum efficiency with extremely fast response times (typically no more than 100 ps). Diode structure using internal reflection. The text provides theoretical expressions for various types of gates, but also illustrates the manufacturing processes for the various gates and the diodes themselves. The experimental data from the time and wavelength response prove that this is an ideal high performance photodiode.
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