【摘 要】
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本文报道了5微米全掺磷硅栅CMOSIC封闭栅结构和封闭——条状混合栅结构的工艺技术.已于1983年研制成功了电源电压为5伏,门电路延迟时间为8～15毫微秒,双D触发器最高时钟频率达3
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本文报道了5微米全掺磷硅栅CMOSIC封闭栅结构和封闭——条状混合栅结构的工艺技术.已于1983年研制成功了电源电压为5伏,门电路延迟时间为8～15毫微秒,双D触发器最高时钟频率达31兆赫的低压高速电路.本工艺技术适用于目前国内多数集成电路生产工厂的工艺水平,提供了提高CMOS电路速度的有效途径.
In this paper, we report the technology of 5μm full-Si-Si CMOSIC closed-gate structure and closed-strip hybrid gate structure, which was successfully developed in 1983 with a power supply voltage of 5V and gate delay of 8 ~ 15 nanoseconds Sec, dual-D flip-flops up to a maximum clock speed of 31 MHz low-voltage high-speed circuits.This technology is suitable for the current state of the art most of the integrated circuit manufacturing plant, providing an effective way to improve CMOS circuit speed.
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