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通过大量的工艺和辐照实验,研究了通HCI对所生长的SiO2薄膜辐照性能的影响,得到了固定HCl流量为15ml/min时,通HCl的最佳时间为40～150s。并讨论了HCl对SiO2生长速率的影响及其机理。
氯化氢氧化生长的SiO_2辐照性能及生长速率研究
【摘 要】
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通过大量的工艺和辐照实验,研究了通HCI对所生长的SiO2薄膜辐照性能的影响,得到了固定HCl流量为15ml/min时,通HCl的最佳时间为40～150s。并讨论了HCl对SiO2生长速率的影响及其
【机 构】
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骊山微电子学研究所,中科院新疆物理所,中科院新疆物理所陕西临潼710600,陕西临潼710600
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1992年5期
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