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研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应。发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Vio、Iio、IB+、IB-等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理。这些电参数可以基本恢复。斩波式自动稳零型CMOS集成运算放大器抗γ辐射能力较强。集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤。