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过去几年,重点研究了金属有机汽相外延(OMVPE)HgCdTe的材料制作器件的适用性。本文将论述用直接合金(DAG)法生长HgCdTe的最研成果和某些器件最新成果。得到截止波长为5.5μm外延层,其p-n结R_0A乘积高达1×10~6Ωcm~2,金属—绝缘体—半导体(MIS)电荷储存时间高达250ms,同时还讨论层的组分均匀性和重复性问题。