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从近几年的现实发展情况看,2002年前国内LED芯片完全依赖进口,2003年国家半导体照明工程启动后,GaN功率型芯片从无到有,并带动了小功率芯片的发展,逐步替代进口。
2003年,半导体照明的“十一五”863重大项目自实施以来,代表了国内研发的最高水平。如今,我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术,部分核心技术具有原创性,初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用等比较完整的研发与产业体系,为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。
截至2008年底,国家半导体照明工程取得重大进展:探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。国内已研制出280纳米紫外LED器件,20毫安输出功率达到毫瓦量级,处于国际先进水平;非极性氮化镓的外延生长,X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒,这一数值是目前国际上报道的最好结果之一;首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格LED,20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW;全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45lm/w;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机,正在进行工艺验证。
一些科研院所,如中国科学院物理所和长春光机与物理所、北京大学、北京有色金属研究院、石家庄十三所等单位也相继开展了这方面的研究工作。目前已取得了可喜的进步,正在缩短与国际先进水平的差距。眼下市场上的白光LED大都是国内LED厂家采用进口芯片和荧光粉自行封装的。由于技术力量和自主开发能力薄弱,蓝光芯片的选用和白光LED的性能受到一定限制和影响。
尽管国内的技术在快速地进步,但总体技术水平与国外还存在一定的差距,主要体现在规模产业化的稳定性和可靠性方面。
2003年,半导体照明的“十一五”863重大项目自实施以来,代表了国内研发的最高水平。如今,我国LED外延材料、芯片制造、器件封装、荧光粉等方面均已显现具有自主技术产权的单元技术,部分核心技术具有原创性,初步形成了从上游材料、中游芯片制备、下游器件封装及集成应用等比较完整的研发与产业体系,为我国LED产业做大做强在一定程度上奠定了基础。
截至2008年底,国家半导体照明工程取得重大进展:探索性、前沿性材料生长和器件研究出现部分原创性技术。国内已研制出280纳米紫外LED器件,20毫安输出功率达到毫瓦量级,处于国际先进水平;非极性氮化镓的外延生长,X射线衍射半峰宽由原来的780弧秒下降至559弧秒,这一数值是目前国际上报道的最好结果之一;首次实现大面积纳米和薄膜型光子晶格LED,20mA室温连续驱动小芯片输出功率由4.3mW提升至8mW;全磷光型叠层白光OLED发光效率已达到45lm/w;成功开发出6片型和7片型MOCVD样机,正在进行工艺验证。
一些科研院所,如中国科学院物理所和长春光机与物理所、北京大学、北京有色金属研究院、石家庄十三所等单位也相继开展了这方面的研究工作。目前已取得了可喜的进步,正在缩短与国际先进水平的差距。眼下市场上的白光LED大都是国内LED厂家采用进口芯片和荧光粉自行封装的。由于技术力量和自主开发能力薄弱,蓝光芯片的选用和白光LED的性能受到一定限制和影响。
尽管国内的技术在快速地进步,但总体技术水平与国外还存在一定的差距,主要体现在规模产业化的稳定性和可靠性方面。