超薄介质测厚技术研究报告

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一、引言 硅片上厚度在100以下的超薄氧化层在一些半导体器件的制造中起关键作用。随着超大规模集成电路的发展。它越来越受到人们的重视。在这一领域进行探索,对Si-SiO_2界面性质的研究也有重要意义。超薄氧化层的制备首先要求提供一种方便、精确、非破坏性的,能测量低到几埃介质膜厚的仪器和技术。椭园偏振仪 I. INTRODUCTION The ultra-thin oxide layer below 100 硅 on silicon wafers plays a key role in the fabrication of some semiconductor devices. With the development of VLSI. It is more and more people's attention. In this area to explore, on the Si-SiO 2 interface properties of great significance. The preparation of ultra-thin oxide layers first required the provision of a convenient, accurate and non-destructive instrument and technique capable of measuring film thicknesses as low as several Angstroms. Elliptical Polarimeter
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