【摘 要】
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采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温
【机 构】
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采用弹性反冲法分析等离子体淀积氮化硅薄膜中的氢含量,并结合运用RBS和核反应~(16)O(d,p)~(17)O法给出了氮化硅膜中硅、氮组分比及杂质氧的含量。文中指出了基体温度从室温到560℃范围变化时,氮化硅膜的硅、氮、氢组成比例的变化,及与其它特性(折射率、密度、腐蚀速率)的相关性。
The hydrogen content in the plasma-deposited silicon nitride film was analyzed by the elastic recoil method, and the silicon in the silicon nitride film was given in combination with the RBS and (16) O (d, p) ~ (17) , Nitrogen ratio and impurity oxygen content. In this paper, the change of composition ratio of silicon, nitrogen and hydrogen in silicon nitride film and its dependence on other properties (refractive index, density, corrosion rate) are pointed out when the temperature of the substrate varies from room temperature to 560 ℃.
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