【摘 要】
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东芝公司研究了一种用两个分立膜片的原子连接以形成半导体结的方法。这一方法加速了工艺流程并改善了高压大电流功率器件的性能。此工艺过程把两个片子结合在一起(包括清洗
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东芝公司研究了一种用两个分立膜片的原子连接以形成半导体结的方法。这一方法加速了工艺流程并改善了高压大电流功率器件的性能。此工艺过程把两个片子结合在一起(包括清洗和加热到1000℃)需要两个小时,且不需要压力.用新工艺制出的器件具有高压特性。高频特性也优于用常规工艺制造的器件。
Toshiba has studied a method of forming a semiconductor junction using atoms attached to two discrete diaphragms. This approach speeds up the process and improves the performance of high-voltage, high-current power devices. The process combines two films, including cleaning and heating up to 1000 ° C, for two hours with no stress, and the devices made with the new process have high-voltage characteristics. High-frequency characteristics are also superior to those made with conventional processes.
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